1、氯酸钾是强氧化剂。
2、如有催化剂等存在，在较低温度下就能分解而强烈放出氧气。
3、这里特别需要说明的是，氯酸钾分解放氧是放热反应。
(资料图片)
4、[2]在酸性溶液中有强氧化作用。
5、与碳、磷及有机物或可燃物混合受到撞击时，都易发生燃烧和爆炸。
6、[1]受热分解：2KClO3=2KCl+3O2[有催化剂时（如MnO2等）可加速分解]与浓硫酸反应的化学方程式如下：KClO3+H2SO4=KHSO4+HClO33HClO3=HClO4+2ClO2↑+H2O(氯酸不稳定，会歧化为高氯酸、二氧化氯和水)2ClO2=Cl2+2O2(二氧化氯也不稳定，会分解为氯气和氧气)总反应方程式：3KClO3+3H2SO4=3KHSO4+HClO4+Cl2↑+2O2↑+H2O此反应生成的氯酸、高氯酸、二氧化氯的浓度非常高，极易爆炸。
7、主要用途氧化剂；测定锰、硫、镍、铜和硫化铁；炸药原料；制药；实验室制氧气。
8、氯酸钾用途较广，用于炸药、烟花、鞭炮、高级安全火柴,医药、摄影药剂、分析试剂、氧化剂及火箭、导弹推进剂等。
9、在同系列的推进剂中,含氯酸钾的推进剂比含氯酸铵的推进剂燃烧的快,燃烧能够进行的最低压力较高,燃速指数很高。
10、还可用作解热、利尿等的药剂。
11、分析试剂。
12、氧化剂。
13、氯酸钾在加热的条件下，以二氧化锰为催化剂，可以生成氯化钾和氧气，化学实验室不常用加热氯酸钾的方法制氧气。
14、（氧气不纯且危险）氯酸钾化学式为KClO3。
15、可用于实验室制取氧气。
16、热氧化硅在空气中会氧化形成天然的氧化层的过程称为热氧化[1]。
17、中文名热氧化硅IC成功的一个主要原因是，能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。
18、该氧化层在MOSFET中被用做栅绝缘层，也可作为器件之间隔离的场氧化层。
19、连接不同器件用的金属互联线可以放置在场氧化层顶部。
20、大多数其他的半导体表面不能形成质量满足器件制造要求的氧化层。
21、硅在空气中会氧化形成大约厚2.5nm的天然氧化层。
22、但是，通常的氧化反应都在高温下进行，因为基本工艺需要氧气穿过已经形成的氧化层到达硅表面，然后发生反应。
23、图1给出了氧化过程的示意图。
24、氧气通过扩散过程穿过直接与氧化层表面相邻的凝滞气体层，然后穿过已有的氧化层到达硅表面，然后在这里与硅反应形成二氧化硅。
25、由于该反应，表面的硅被消耗了一部分。
26、被消耗的硅占最后形成氧化层厚度的44%[1]。
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